隨著5G通信、人工智慧以及物聯網等新興產業的蓬勃發展，基於鰭式場效應電晶體(FinFET)技術的先進工藝將逐漸被越來越多的晶片公司所採用。採用先進FinFET工藝技術可以提升晶片的集成度，縮減晶片的尺寸，同時還可以提高晶片的運算效率、降低功耗。目前業界最為領先並實現量產的就是5nm FinFET工藝技術。然而，先進的5nm FinFET工藝技術使得器件的各項參數均已接近其物理極限，如極薄的柵氧化層、超淺的源漏結深等，所有這些將會導致晶片更容易受到靜電放電(ESD)事件的損傷。系統廠商在選取用於系統級防護的ESD晶片時將會有更多的考量，除了需要超低容值產品來減小高速信號的損耗和衰減，同時也需要更低的開啟電壓和鉗位電壓(Vc)，以保證在外界靜電脈衝或者浪湧脈衝到達系統時，ESD晶片能夠更加快速的啟動回應以及提供更低的鉗位保護。

▲臺積電制程規劃

▲英特爾制程規劃

針對這一系列新的要求，目前香港天微率先推出了業界最低開啟電壓的超小容值及超低Vc（鉗位電壓）的ESD產品——TT0214SP，專為解決5nm工藝的ESD保護問題，為更先進工藝IC產品的ESD保護提供了更可靠的解決方案。

▲TT0214SP產品特性

TT0214SP是一款DFN2510-10L的小封裝四路ESD陣列型產品，容值低至0.18pf，開啟電壓低至3.5V（DC開啟電壓），帶回掃特性，是目前業界帶回掃特性的超小容值產品中，開啟電壓最低的，這樣可以保護工作電壓低於2V的IC產品在低壓時不會被浪湧（8/20us）衝擊破壞，同時遇到靜電衝擊時能更快的開啟回應，提供全方位的保護。TT0214SP的TLP開啟電壓控制在4V以下，是這類型產品的業界最好水準；由於具備回掃特性，此款產品的靜電Vc和浪湧Vc都非常低，在TLP=16A（8KV）時，Vc≤5V，在Ipp=4A（8/20uS）時，Vc≤2.5V。具體的TLP和浪湧曲線如下圖：

01、如果還需要更小容值的產品：

此系列三款產品容值低至0.13pf，是業界最低容值產品之一，在TLP=16Ａ（8KV）時，Vc（鉗位電壓）≤7.5V，同樣可以提供非常出色的靜電保護。

02、先進工藝IC產品的供電端保護：

TT0301NA，DFN0603-2L封裝，在TLP=16Ａ（8KV）時，Vc（鉗位電壓）≤5.5V，同時8/20us浪湧Ipp≥10A，可以對電源起到非常好的保護。