視頻監控系統從最初的模擬視頻監控發展到如今與AI智能技術和物聯網整合，其內部硬體與外部介面也發生的很大的改變和更新迭代。由於監控攝像頭外部的介面類型眾多，同時監控攝像頭大多擺放於戶外環境，較容易遇到ESD/EOS能量干擾，因此在進行電路ESD防護設計時，應選擇具有ESD/EOS耐受能力的防護元件，否則當外部ESD/EOS能量干擾到系統時，監控攝像頭系統就可能遭到破壞。

本應用方案從監控攝像頭各種類型的介面出發，以香港天微電子相應規格的ESD保護器件為不同的模組和應用場景提供豐富的ESD保護應用方案。主要採用的ESD保護晶片型號為TS1211LB、TS0301VE、TT0301NB、TT0521SB、TS0511LE、TT0514TL、TT3304SP、TT0314TP。

TS1211LB

（1）如下圖1為 TS1211LB 保護晶片內部電路示意圖。下表1為TS1211LB保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TS1211LB主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體組成的，它具有一個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為12V，即反向電壓12V，加於TS1211LB上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為13.3V，即25°C時，所加的反向電壓在13.3V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為19V@5A，即在流過的峰值電流為5A其兩端電壓可以鉗位在19V；Cj為70pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。

圖1 TS1211LB內部電路示意圖

表1 TS1211LB內部電路示意圖

TS0301VE

（2）如下圖2為 TS0301VE 保護晶片內部電路示意圖。下表4為TS0301VE保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TS0301VE主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體組成的，它具有一個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加於TS0301VE上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為3.5V，即25°C時，所加的反向電壓在3.5V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為7V@2A，即在流過的峰值電流為2A其兩端電壓可以鉗位在7V；Cj為2pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。

圖2 TS0301VE內部電路示意圖

表2 TS0301VE主要性能參數

TT0301NB

（3）如下圖3為 TT0301NB 保護晶片內部電路示意圖。下表3為TT0301NB保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TT0301NB主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體組成的，它具有一個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加於TT0301NB上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為5.2V，即25°C時，所加的反向電壓在5.2V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為7V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在7V；Cj為16pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。

圖3 TT0301NB內部電路示意圖

表3 TT0301NB主要性能參數

TT0521SB

（4）如下圖4為 TT0521SB 保護晶片內部電路示意圖。下表4為TT0521SB保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TT0521SB主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體組成的，它具有一個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為12V，即反向電壓5V加於TT0521SB上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為6V，即25°C時，所加的反向電壓在6V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為12V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V；Cj為0.35pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。

圖4 TT0521SB內部電路示意圖

表4 TT0521SB主要性能參數

TS0511LE

（5）如下圖5為 TS0511LE 保護晶片內部電路示意圖。下表5為TS0511LE保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TS0511LE主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體組成的，它具有一個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為12V，即反向電壓5V加於TS0511LE上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為6V，即25°C時，所加的反向電壓在6V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為12V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V；Cj為150pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。

圖5 TS0511LE內部電路示意圖

表5 TS0511LE主要性能參數

TT0514TL

（6）如下圖6為 TT0514TL 保護晶片內部電路示意圖。下表6為TT0514TL保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TT0514TL主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體陣列組成的，它具有四個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為12V，即反向電壓5V加於TT0514TL上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為6V，即25°C時，所加的反向電壓在6V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為12V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V；Cj為0.6pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。

圖6 TT0514TL內部電路示意圖

表6 TT0514TL主要性能參數

TT3304SP

（7）如下圖7為 TT3304SP 保護晶片內部電路示意圖。下表7為TT3304SP保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TT3304SP主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體陣列組成的，它具有4個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加於TT3304SP上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為6.5V，即25°C時，所加的反向電壓在6.5V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為8V@6A，即在流過的峰值電流為6A其兩端電壓可以鉗位在8V；Cj為0.18pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。該款產品是是一款DFN2510-10L的小封裝四路陣列型的ESD保護IC，最低容值達到0.18pf，可以滿足高速傳輸的要求。

圖7 TT3304SP內部電路示意圖

表7 TT3304SP主要性能參數

實測TLP 曲線如下：

圖8 TT3304SP實測TLP曲線

TT0314TP

（8）如下圖9為 TT0314TP 保護晶片內部電路示意圖。下表8為TT0314TP保護晶片主要性能參數。從中可以看出，TT0314TP主要是由具有一定的ESD保護電壓額定值的二極體陣列組成的，它具有4個通道數，VRWM（最大連續工作的脈衝電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加於TT0314TP上時，二極體陣列處於反向關斷狀態；VBR（最小的雪崩電壓）為4V，即25°C時，所加的反向電壓在4V之前，保護的二極體陣列不導通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈衝電流）為8V@2.5A，即在流過的峰值電流為2.5A其兩端電壓可以鉗位在8V；Cj為0.6pF，該電容是二極體陣列的寄生電容。該款產品是是一款DFN2510-10L的小封裝四路陣列型的ESD保護IC，最低容值達到0.6pf，可以滿足高速傳輸的要求。

圖9 TT0314TP內部電路示意圖

表8 TT0314TP主要性能參數

實測TLP 曲線如下：

圖10  TT0314TP實測TLP曲線