ESD（TVS）器件與齊納⼆極管比較。

ESD（TVS）器件的 P/N 結⾯積比齊納 二極體更⼤，導致 ESD（TVS）器件不僅具有更強的⾼壓耐受性，同時也使電 壓截⽌率大大下降，對於⼿持設備的低⼯作電壓電路的安全保護，具有更好效果。

TVS 與陶瓷電容比較：表⾯貼裝陶瓷電容也可作 ESD 保護，便宜和簡便；但 陶瓷電容的⾼壓承受⼒較弱，5kV 高壓可使 10%陶瓷電容失效；10kV 高壓， 可使 60%陶瓷電容失效。

根據 IEC61000-4-2 標準，一般⼿持設備的使⽤， 各個端⼝必須承受大於 8kV 接觸衝擊電壓。由於 ESD（TVS）可以承受 15kV 電壓，故 ESD（TVS）更適合手持設備，有效保證最終產品的合格率和可靠性。

TVS 與 MLV 比較：多層⾦屬氧化物結構器件(MLV)也可以有效抑制暫態⾼壓 衝擊，但其具有⾮線性電壓-電流特性，截⽌電壓可達最初中⽌電壓的 2～3 倍，導致其適合⽤於對電壓不太敏感的線路和器件的保護，如電源供電電路。

ESD（TVS）保護晶片具有較好的電壓截⽌因⼦和較低電容，特別適用於⼿持 設備的⾼頻高速信號端⼝。

ESD（TVS）晶片的微表⾯封裝，不僅適合自動裝 配工藝，更可以集成其他功能（如 EMI 和 RFI 過濾保護）等，可大大降低器 件成本，優化硬體系統設計，提高 PCB 板級抗干擾性能和可靠性。