ESD低電容發展方向

隨著5G通信、人工智慧以及物聯網等新興產業的蓬勃發展，半導體的制程工藝發展的越來越快，IC的敏感度也越來越高，對靜電防護的需求達到了一個更高的層次。同時，在高速信號傳輸靜電保護領域，更小的電容是一個主要的發展方向，這是因為過大的電容會引起傳輸過程中的信號缺失，大電容也會導致充放電時間過長降低器件的開關速度，這也就要求ESD防護器件要向低電容方向發展。

業界最低容值的單路單向深回滯ESD產品TT0311SA-Fx

香港天微針對 USB 3.X和USB 4.0推出業界最低容值的單路單向深回滯型ESD靜電保護器-TT0311SA-Fx，具有極低的電容值0.24pF，深度折回電壓達到3V，是目前業界單路單向產品中容值最低的。深回滯型ESD在電壓觸發後，會在瞬間降低ESD兩端的鉗位電壓，在同樣Ipp電流的情況下，深回滯型ESD的Vc鉗位電壓比常規的ESD器件低30%以上（目前在華為等電信設備商的測試需求中，專門強調了防靜電ESD的回掃特性）。

同時，TT0311SA-Fx還具有IEC61000-4-2測試等級的空氣15kV、接觸14kV的靜電防護能力，這些優異的性能使TT0311SA-Fx能有效的為後端IC以及整個電路提供強大的靜電保護能力。

新品TT0311SA-FX參數

USB高速介面ESD注意事項

對於USB 3.X和USB 4.0高速介面，選擇ESD/EOS保護組件時需考慮以下幾點：

1、為確保通過USB 3.X和USB 4.0傳遞的高速信號的完整性，選擇該器件時需使用具有較低電容的ESD保護器件。

2、具有較高的ESD耐電壓能力，至少要承受IEC 61000-4-2中規定的8kV接觸放電的ESD衝擊。

3、具有較低的鉗位電壓，較低的鉗位電壓表示更好的保護性能。

LAYOUT設計時的注意事項

1.將ESD保護器件盡可能靠近I/O連接器放置，以減少ESD接地路徑，提高保護性能。

2.在USB 3.X和USB 4.0 應用中，應將ESD保護器件放置在TX差分通道上的交流耦合電容器和I/O連接器之間，如此沒有直流電流可以流過ESD保護器件，從而防止任何潛在的閂鎖風險。

3.盡可能使用彎曲的跡線，以避免不必要的反射。

4.保持差分數據通道的正線和負線之間的走線長度相等，以避免共模雜訊的產生和阻抗失配。