ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“靜電放電”的意思。ESD是本世紀中期以來形成的以研究靜電的產生與衰減、靜電放電模型、靜電放電效應如電流熱（火花）效應（如靜電引起的著火與爆炸）和電磁效應（如電磁干擾）等的學科。

近年來隨著科學技術的飛速發展、微電子技術的廣泛應用及電磁環境越來越複雜，對靜電放電的電磁場效應如電磁干擾（EMI）及電磁相容性（EMC）問題越來越重視。

瞬態電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS管，TVS管的電氣特性是由P-N結面積、摻雜濃度及晶片阻值決定的。其耐突波電流的能力與其P-N結面積成正比。TVS廣泛應用於半導體及敏感器件的保護，通常用於二級電源和信號電路的保護，以及防靜電等。

其特點為反應速度快(為ps級)，體積小，脈衝功率較大，箝位電壓低等。其10/1000μs波脈衝功率從400W～30KW，脈衝峰值電流從0.52A～544A；擊穿電壓有從6.8V～550V的系列值，便於各種不同電壓的電路使用。

肖特基（Schottky）二極體，又稱肖特基勢壘二極體（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正嚮導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體，也有用在微波通信等電路中作整流二極體、小信號檢波二極體使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

肖特基（Schottky）二極體的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全面考慮。

MOS管具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、熱穩定性好等特點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。

MOS管的作用：

MOS管可應用於放大，由於MOS管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器；

MOS管可以用作電子開關；

MOS管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換；

MOS管可以用作可變電阻，MOS管可以方便地用作恒流源。