Common Problems
ESD Protection
2020-04-19

ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“靜電放電”的意思。ESD是本世紀中期以來形成的以研究靜電的產生與衰減、靜電放電模型、靜電放電效應如電流熱(火花)效應(如靜電引起的著火與爆炸)和電磁效應(如電磁干擾)等的學科。

近年來隨著科學技術的飛速發展、微電子技術的廣泛應用及電磁環境越來越複雜,對靜電放電的電磁場效應如電磁干擾(EMI)及電磁相容性(EMC)問題越來越重視。


TVS
2020-04-19

瞬態電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor)簡稱TVS管,TVS管的電氣特性是由P-N結面積、摻雜濃度及晶片阻值決定的。其耐突波電流的能力與其P-N結面積成正比。TVS廣泛應用於半導體及敏感器件的保護,通常用於二級電源和信號電路的保護,以及防靜電等。

其特點為反應速度快(為ps級),體積小,脈衝功率較大,箝位電壓低等。其10/1000μs波脈衝功率從400W~30KW,脈衝峰值電流從0.52A~544A;擊穿電壓有從6.8V~550V的系列值,便於各種不同電壓的電路使用。


Schottky Diode
2020-04-19

肖特基(Schottky)二極體,又稱肖特基勢壘二極體(簡稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正嚮導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體,也有用在微波通信等電路中作整流二極體、小信號檢波二極體使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

肖特基(Schottky)二極體的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點:耐壓比較低,漏電流稍大些。選用時要全面考慮。

MOSFET
2020-04-19

MOS管具有輸入電阻高(1000000001000000000Ω)、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、熱穩定性好等特點,現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。

MOS管的作用:

MOS管可應用於放大,由於MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器;

MOS管可以用作電子開關;

MOS管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換;

MOS管可以用作可變電阻,MOS管可以方便地用作恒流源。